Tower planea una expansión de 3.000 millones de dólares en Japón y eleva sus metas para 2028

Tower Semiconductor anunció una expansión en dos vías de su capacidad de fabricación de 300 milímetros en Japón para fotónica de silicio, silicio-germanio y empaquetado avanzado utilizados en centros de datos de IA y otras aplicaciones de alta demanda. La empresa israelí prevé una inversión neta de unos 3.000 millones de dólares tras aproximadamente 1.000 millones de dólares en subvenciones del Gobierno japonés. La primera vía reconvertirá su planta de Arai y ampliará Fab 7 en Uozu para estar lista para producción en el cuarto trimestre de 2027; la segunda añadiría una planta vecina de 300 milímetros, sujeta a acuerdos definitivos. Tower elevó sus metas para 2028 a 3.600 millones de dólares en ingresos y 1.200 millones de dólares en beneficio neto, frente a 2.800 millones y 750 millones.