Tower计划在日本投资30亿美元扩产并上调2028年目标

Tower Semiconductor宣布在日本分两条路径扩充300毫米晶圆制造能力，涵盖用于人工智能数据中心和其他高需求应用的硅光子、硅锗和先进封装。扣除日本政府约10亿美元补贴后，这家以色列公司预计净投资约30亿美元。第一条路径将改造新井工厂并扩建鱼津Fab 7，目标是在2027年第四季度具备投产条件；第二条路径拟在附近新增一座300毫米工厂，但须以最终协议为前提。Tower将2028年目标从28亿美元营收和7.5亿美元净利润上调至36亿美元营收和12亿美元净利润。